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          溢價超44倍!大基金三期為何青睞拓荊科技旗下子公司?

          每日經濟新聞 2025-09-13 10:22:32

          9月12日晚間,拓荊科技宣布擬與多家外部投資者對控股子公司拓荊鍵科增資,其中大基金三期持股的國投集新將成拓荊鍵科第二大股東,拓荊鍵科或成大基金三期首個半導體產業項目。同時,拓荊科技披露46億元定增預案,用于高端半導體設備產業化基地建設等項目。拓荊科技表示,目前產能預計無法滿足未來訂單需求,此次定增將大幅提升高端半導體設備產能。

          每經記者|楊煜    每經編輯|陳俊杰    

          9月12日晚間,拓荊科技(688072.SH,股價176.47元,市值493.64億元)宣布,擬與多家外部投資者對控股子公司拓荊鍵科(海寧)半導體設備有限公司(以下簡稱拓荊鍵科)增資。

          其中,由大基金三期持股99.9%的國投集新(北京)股權投資基金(有限合伙)(以下簡稱國投集新)也出現在增資方名單中,并將在增資完成后成為拓荊鍵科第二大股東。

          據天眼查,截至目前,國投集新尚無對外投資,大基金三期持股的三家公司也均為投資平臺,拓荊鍵科或將成為大基金三期投向的首個半導體產業項目。

          與此同時,拓荊科技還披露一項46億元規模的定增預案,募投項目包括高端半導體設備產業化基地建設項目、前沿技術研發中心建設項目以及補充流動資金。

          拓荊科技子公司獲大基金三期青睞

          拓荊科技業務范圍屬于高端半導體專用設備領域,主要研發、生產薄膜沉積設備和應用于三維集成領域的先進鍵合設備及配套量檢測設備(以下統稱三維集成設備)。其中,拓荊鍵科聚焦三維集成設備的研發與產業化應用。

          據公司年報介紹,隨著“后摩爾時代”來臨,芯片制程持續縮小并接近物理極限,單純依賴平面工藝極限已無法實現性能迭代,技術路徑逐步轉向新的架構設計及芯片堆疊方式。

          三維集成技術則是這一技術創新和發展趨勢的關鍵驅動力,而先進鍵合設備憑借其突破性技術優勢成為三維集成技術領域的核心設備。

          不過,從業務規模來看,拓荊鍵科仍處于發展早期。2025年上半年,拓荊科技整體營收約為19.54億元,拓荊鍵科僅實現營收114.55萬元,凈虧損3746.76萬元。

          此次增資目的即是進一步推動拓荊鍵科在三維集成設備領域的迅速發展。

          公告顯示,共有6家主體參與此次增資。其中,拓荊科技與國投集新均出資不超過4.5億元,拓荊鍵科的兩家員工持股平臺合計出資不超過1億元,上海華虹虹芯二期和海寧融創的出資額分別不超過3000萬元和950萬元。

          增資完成后,拓荊科技對拓荊鍵科的持股比例將降至約53.57%,國投集新成為拓荊鍵科第二大股東,持股比例約為12.71%。

          盡管拓荊鍵科營收規模較小且尚未盈利,但增資方對其價值展現了高度認可。

          據公告,此次對拓荊鍵科的定價采用收益法評估結果,以2024年12月31日為評估基準日,拓荊鍵科的凈資產賬面價值為5521.98萬元,收益法評估后的股東全部權益價值為25.29億元,經協商確定本次融資的投前估值為25億元,增值率4427.36%。

          產能預計無法滿足未來需求,定增預案發力擴產增效

          在加速發展三維集成設備之外,拓荊科技也在薄膜沉積設備領域持續發力。

          定增預案顯示,拓荊科技計劃實施“高端半導體設備產業化基地建設項目”,大幅提升公司高端半導體設備產能,支撐公司多款薄膜沉積設備系列產品的產業化能力,并通過智能化配套設施建設,提升生產效率,擴大公司業務規模。

          拓荊科技表示,在人工智能、高性能計算等新興領域的需求帶動下,晶圓廠持續進行資本開支、擴充產能,進而提升高端半導體設備的市場需求量。近年來,受益于下游市場需求旺盛,公司業務規模呈現快速增長趨勢,目前的產能預計無法滿足未來客戶的訂單需求。

          “本項目將通過建設新產線的方式增加公司高端半導體設備的生產能力,緩解公司未來產能瓶頸,促進公司業務規模持續增長,最終實現公司可持續增長能力的有效提升。”拓荊科技表示。據介紹,“高端半導體設備產業化基地建設項目”擬投入資金17.68億元,項目建設期5年。

          此外,拓荊科技還計劃投入20億元建設“前沿技術研發中心建設項目”,對現有薄膜沉積設備進行工藝優化和性能提升。

          拓荊科技表示,目前,國際知名半導體設備企業在國內高端薄膜沉積設備行業的市場占有率仍然較高,我國發展起步較晚、技術基礎薄弱,盡管近年來國內企業不斷加強技術研發,在部分技術領域逐步實現了突破,但在工藝復雜度較高的關鍵環節仍與國際最先進水平存在著一定差距。

          此外,半導體行業歷來遵循著“一代產品、一代工藝、一代設備”的發展規律,晶圓制造需要超前于下游應用開發新一代工藝,而半導體設備則要超前于晶圓制造開發新一代設備。不同先進芯片結構所需要的不同薄膜材料種類、沉積工序也催生了大量的前沿技術薄膜沉積設備需求。

          封面圖片來源:每日經濟新聞 劉國梅 攝

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