自主可控勢在必行，半導(dǎo)體材料ETF（562590）年內(nèi)回報超30%，規(guī)模創(chuàng)歷史新高

11月13日，半導(dǎo)體午后走弱，截至14:05，半導(dǎo)體材料ETF（562590）跌0.15%，持倉股有研新材打開漲停板，漲超7%。拉長時間看，半導(dǎo)體材料ETF（562590）年內(nèi)漲幅達(dá)到34.58%。

值得注意的是，半導(dǎo)體材料ETF（562590）連續(xù)3日獲資金增倉，累計吸金1.4億元。截至11月12日，半導(dǎo)體材料ETF（562590）規(guī)模首次達(dá)到3.5億元，為上市以來新高，反映投資者對半導(dǎo)體上游板塊信心。

中信證券認(rèn)為，中國半導(dǎo)體行業(yè)的內(nèi)需市場和自主可控是明確發(fā)展方向。半年維度看，重點關(guān)注國內(nèi)先進(jìn)存儲和邏輯廠商擴(kuò)產(chǎn)需求落地、國內(nèi)先進(jìn)封裝技術(shù)突破以及集成電路和信創(chuàng)政策對板塊信心的拉動。

半導(dǎo)體市場復(fù)蘇態(tài)勢向好，投資者不妨關(guān)注半導(dǎo)體材料ETF（562590）及其聯(lián)接基金（A類：020356、C類：020357），產(chǎn)品緊密跟蹤中證半導(dǎo)體材料設(shè)備指數(shù)，指數(shù)中半導(dǎo)體設(shè)備（53.7%）、半導(dǎo)體材料（22.9%）占比靠前，合計權(quán)重超76%，充分聚焦指數(shù)主題，均為國產(chǎn)替代關(guān)鍵環(huán)節(jié)。