半導(dǎo)體設(shè)備、材料助力主板上攻！科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）、半導(dǎo)體材料ETF（562590）獲得資金關(guān)注！

截至10月27日13點(diǎn)52分，滬指逼近4000點(diǎn)，半導(dǎo)體設(shè)備、材料行業(yè)交投活躍。重倉(cāng)半導(dǎo)體設(shè)備、材料的科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）、半導(dǎo)體材料ETF（562590）午后繼續(xù)上攻，盤(pán)中雙雙漲超3%，成交額同步放大，分別突破5億、1億元。成分股方面，晶瑞電材、南大光電、艾森股份漲幅明顯。從資金流入方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）近5個(gè)交易日內(nèi)有3日資金凈流入，合計(jì)“吸金”2.10億元，日均凈流入達(dá)4191.25萬(wàn)元。半導(dǎo)體材料ETF（562590）買(mǎi)盤(pán)活躍，拉長(zhǎng)時(shí)間看，近12個(gè)交易日內(nèi)，合計(jì)“吸金”2007.66萬(wàn)元。

銀河證券認(rèn)為，資金圍繞科技自立主線集中布局，頭部半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)訂單能見(jiàn)度有望持續(xù)提升。重要規(guī)劃重點(diǎn)聚焦關(guān)鍵核心技術(shù)領(lǐng)域的自主突破，設(shè)備是直接受益環(huán)節(jié)之一。短期看，AI算力需求或推動(dòng)國(guó)內(nèi)外邏輯與存儲(chǔ)廠商擴(kuò)產(chǎn)，刻蝕、薄膜沉積設(shè)備需求旺盛；長(zhǎng)期看，國(guó)產(chǎn)替代邏輯在科技自強(qiáng)戰(zhàn)略下或更為穩(wěn)固。

相關(guān)ETF：公開(kāi)信息顯示， 科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）及其聯(lián)接基金（A類(lèi)：024417；C類(lèi)：024418）跟蹤上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)，囊括科創(chuàng)板中 半導(dǎo)體設(shè)備（61%）和半導(dǎo)體材料（23%）細(xì)分領(lǐng)域的硬科技公司。 半導(dǎo)體設(shè)備和材料行業(yè)是重要的國(guó)產(chǎn)替代領(lǐng)域，具備國(guó)產(chǎn)化率較低、國(guó)產(chǎn)替代天花板較高屬性，受益于人工智能革命下的半導(dǎo)體需求擴(kuò)張、科技重組并購(gòu)浪潮、光刻機(jī)技術(shù)進(jìn)展。

半導(dǎo)體材料ETF（562590）及其聯(lián)接基金（A類(lèi)：020356、C類(lèi)：020357），指數(shù)中半導(dǎo)體設(shè)備（61%）、半導(dǎo)體材料（21%）占比靠前，充分聚焦半導(dǎo)體上游。